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研發(fā)實(shí)力

公司的技術(shù)與產(chǎn)品涵蓋：保護(hù)器件（Protection Device）、可控硅(Thyristor)、整流二極管(Rectifier)。

在多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域保持了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的地位，如多層疊片技術(shù)、高結(jié)溫低漏流技術(shù)、多層鈍化工藝、超強(qiáng)抗干擾可控硅技術(shù)等。
同時(shí)利用公司多名核心技術(shù)人員在設(shè)計(jì)、制造領(lǐng)域的積累，為客戶提供針對(duì)性的芯片產(chǎn)品設(shè)計(jì)和系統(tǒng)性的應(yīng)用解決方案。

半導(dǎo)體類

  • 瞬態(tài)電壓抑制二極管 (TVS)

    瞬態(tài)電壓抑制二極管 (TVS)

    瞬態(tài)抑制二極管也稱硅雪崩二極管，擁有比普通二極管更大PN結(jié)面積和更大的同流能力，廣泛應(yīng)用于電子元件瞬變電壓防護(hù)。

    截止電壓: 3.3V~600V;   峰值功率: 200~30KW   電流: 最大達(dá)30KA(8/20uS） 高結(jié)溫:最高可達(dá)


  • 可控硅 (Thyristors)

    可控硅 (Thyristors)

    可控硅是常開式固態(tài)開關(guān)，能 夠承受額定閉塞/斷態(tài)電壓直 至受觸發(fā)而切換為導(dǎo)通狀態(tài)， 可作為開關(guān)或功率調(diào)節(jié)應(yīng)用。

    低漏電流：獨(dú)特的保護(hù)層設(shè)計(jì)，IDRM<1uA@VDRM        高結(jié)溫：超高靜動(dòng)態(tài)能力，150oC 高結(jié)溫環(huán)境        抗干擾能力強(qiáng)：無緩沖設(shè)計(jì), dv/dt > 1000V

  • 靜電二極管陣列 (ESD)

    靜電二極管陣列 (ESD)

    瞬態(tài)抑制二極管陣列設(shè)計(jì)用于保 護(hù)數(shù)字和模擬信號(hào)線免受靜電放 電(ESD)，電快速瞬變(EFT)，以 及雷擊引起的浪涌電流的破壞。

    結(jié)電容：最小可達(dá)0.3pF        尺寸：最小可達(dá)0.6*0.3mm        封裝：多樣化，集成度高        功率：70~1800W（8/20uS）

  • 半導(dǎo)體放電管 (TSS)

    半導(dǎo)體放電管 (TSS)

    半導(dǎo)體放電管是基于可控硅工藝的半導(dǎo)體開關(guān)管，相對(duì)TVS管有更高的浪涌防護(hù)和更低的殘壓，用于各種通訊端口。

    截止電壓：6V~600V   浪涌等級(jí)：2/4/6 KV   結(jié)電容值：15pF～150pF   封裝：SMA、SMB、SOP8

非半導(dǎo)體類

  • 陶瓷氣體放電管(GDT)

    陶瓷氣體放電管(GDT)

    陶瓷氣體放電管屬于開關(guān)型過 壓保護(hù)器，工作原理基于惰性 氣體間隙放電，能夠承受極高 的瞬態(tài)浪涌。

    電壓: 75V~6KV    浪涌能力: 100KA (8/20μs)    尺寸: 2極&3極，多尺寸    電容值：0.5～25 pF    封裝：軸心引線式、貼片式


  • 玻璃氣體放電管(SPG)

    玻璃氣體放電管(SPG)

    玻璃氣體放電管兼具陶瓷氣體 放電管和半導(dǎo)體放電管的優(yōu)點(diǎn)， 具有浪涌能力高、體積小、反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。

    電壓范圍：140~ 4000V   浪涌電流：3KA(8/20uS）   尺寸大?。害?.4mm~φ4.1mm   可靠性高：耐高溫、耐潮濕